[5p-PA1-1~82] 17 ナノカーボン（ポスター）

[5p-PA1-70] 層状超伝導体NbSe₂薄膜の超伝導特性のデバイス構造依存性

〇(M2)矢部 大輔¹、鑓水 勝秀¹、園田 大樹¹、友利 ひかり^1,2、渡邊 賢司³、谷口 尚³、神田 晶申¹ (1.筑波大数理物質、2.JSTさきがけ、3.NIMS)

キーワード：二セレン化ニオブ、超伝導転移、層状超伝導体

層状超伝導体NbSe₂の原子層薄膜については、層数が薄くなるほど超伝導転移温度が低下することが見出されているが、実験グループによって転移温度には差がある。我々は、その差の原因が試料作製プロセスの違いにあると考えている。そこで本研究では、様々な状況下で作製した層状超伝導体試料の電気伝導特性を比較し、大気暴露やRIEにより超伝導特性が劣化することを明らかにした。