[5p-PB1-1~13] 3.13 Semiconductor optical devices

[5p-PB1-8] Cavity length dependence on threshold current density of 1.5µm wavelength GaInAsP double-hetero laser diode on wafer bonded InP/Si substrate

〇(M2)Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, Xu Han¹, Gandhi Kallarasan Periyanayagam¹, Masaki Aikawa¹, Kazuki Uchida¹, Hirokazu Sugiyama¹, Natsuki Hayasaka¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser diode, InP/Si, direct bonding

シリコンフォトニクスの実現へ向け、我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に接合したInP/Si基板を作製し、その基板上にMOVPE法を用いて光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた．今回、InP/Si基板上において1.5µm帯GaInAsPダブルヘテロレーザの集積を行い、電流注入による発振特性，共振器長に関する評価を行ったのでその結果を報告する