[5p-PB1-1~13] 3.13 Semiconductor optical devices

[5p-PB1-9] Electrical characteristics of 1.5μm wavelength GaInAsP laser on wafer bonded InP/Si substrate

〇Xu Han¹, Naoki Kamada¹, Yuya Onuki¹, GANDHI KALLARASAN PERIYANAYAGAM¹, Kazuki Uchida¹, Masaki Aikawa¹, Hirokazu Sugiyama¹, Natsuki Hayasaka¹, Kazuhiko Shimomura¹ (1.Sophia Univ.)

Keywords:laser diode, direct bonding, Electrical characteristics

大規模集積回路の高速大容量通信を低消費電力で実現すべく，Si基板上へのInP系光デバイスの集積が盛んに研究されている。これに対し我々は薄膜InPをSiプラットフォーム上に貼り合せたInP/Si基板を作製し，この基板上にMOVPE法を用いることで光デバイスの作製及び集積する手法を提案してきた。今回，InP/Si基板上においてGaInAsP-InPダブルヘテロレーザの集積を行い，発振したレーザの電流電圧特性の評価を行ったのでその結果を報告する。