[5p-PB3-1~26] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5p-PB3-25] Consideration on the saturation mechanism of PID in n-type c-Si photovoltaic modules

〇Seira Yamaguchi¹, Kyotaro Nakamura², Atsushi Masuda³, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST, 2.Meiji Univ., 3.AIST)

Keywords:Potential-induced degradation, n-type crystalline silicon photovoltaic module, Reliability

SiN反射防止膜を有するn型c-Si太陽電池の電圧誘起劣化（PID）の飽和挙動を調査した．−1000 V，85°Cの条件下でPID試験を行うと， 120秒という短時間で劣化が飽和した．同等の条件下でSiN膜試料に対してPID試験を行うと，膜中の正電荷密度がモジュール劣化と同様の飽和挙動を示した．電荷密度の飽和値がKセンター密度と同程度であったことから，SiN膜中のKセンターが劣化の飽和挙動と深く関連していることが示唆された．