[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-25] n型c-Si太陽電池の電圧誘起劣化における飽和とその起源に関する考察

〇山口 世力¹、中村 京太郎²、増田 淳³、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.明治大、3.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、n型結晶シリコン太陽電池モジュール、信頼性

SiN反射防止膜を有するn型c-Si太陽電池の電圧誘起劣化（PID）の飽和挙動を調査した．−1000 V，85°Cの条件下でPID試験を行うと， 120秒という短時間で劣化が飽和した．同等の条件下でSiN膜試料に対してPID試験を行うと，膜中の正電荷密度がモジュール劣化と同様の飽和挙動を示した．電荷密度の飽和値がKセンター密度と同程度であったことから，SiN膜中のKセンターが劣化の飽和挙動と深く関連していることが示唆された．