[5p-PB3-1~26] 16.3 シリコン系太陽電池

[5p-PB3-26] 高温・高湿試験により事前劣化させたn型リアエミッター型c-Si太陽電池モジュールの電圧誘起劣化挙動

〇小松 豊¹、山口 世力¹、増田 淳²、大平 圭介¹ (1.北陸先端大、2.産総研)

キーワード：電圧誘起劣化、n型結晶シリコン太陽電池、モジュール

n型リアエミッターc-Si太陽電池モジュールにおいて，事前の高温高湿(DH)試験が後のPID挙動に与える影響を調査した．DH試験後に−1000 Vの PID試験を行うと， J_scが徐々に低下する．これはDH試験なしの−1000 Vの PID試験では見られない劣化挙動である．この原因として，V_ocの低減を伴わないことから，DH試験後のPID試験により，EVAまたは前面のSiN_x膜が光学損失を起こしている可能性が考えられる．