[5p-PB3-1~26] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5p-PB3-5] Passivation ability of Ultra-Thin SiNx Films Formed by Cat-CVD

〇(M2)Hao Song¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Cat-CVD, silicon nitride

本研究では、触媒化学気相堆積(Cat-CVD)による5 nm 程度の極薄 SiN_x膜のパッシベーション性能と水素処理による改善効果を試みた。5 nm程度SiN_x膜の上に10nm程度のn-a-Siを堆積し、パッシベーション性能を調べた。パッシベーション性能を向上させるため、n-a-Siを堆積する前に水素処理を使用した。屈折率が2.3である SiN_xにおける膜処理時間の増加に伴い、試料のτ_effが増加し、180 s 付近で 300–400 µs 程度の最大値が出現し、その後減少する傾向が確認された。