[5p-PB3-1~26] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[5p-PB3-6] Evaluation of passivation film with large leakage current using applying extremely high-frequency impedance analysis (2)

〇Takuto Kojima¹, Takuya Hiyama¹, Tappei Nishihara¹, Kyotaro Nakamura¹, Atsushi Ogura¹, Yoshio Ohshita² (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:C-V measurement, passivated contact, impedance measurement

表面パッシベーション技術の成熟により，結晶シリコン太陽電池の高効率化に対する制限要因として電極-シリコン界面に起因するキャリア再結合が顕在化している．そこで電極直下に極薄の誘電体膜を挿入するパッシベーティッドコンタクト構造が注目されている．パッシベーション膜の界面状態密度 や固定電荷 といった特性は電圧-容量測定によって評価されてきたが，大きい漏れ電流をともなう構造では薄膜容量の決定は困難である．我々は1 MHz – 3 GHzの高周波領域におけるインピーダンス解析を行ない，高漏れ性パッシベーション膜の解析を試みている．本講演では，a-Si/c-Si界面の特性解析結果について報告する．