[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-3] 4H-SiC/SiO₂界面におけるウェット酸化反応過程に関する理論的検討

〇堀 真輔¹、秋山 亨¹、中村 浩次¹、伊藤 智徳¹、影島 博之²、植松 真司³、白石 賢二⁴ (1.三重大院工、2.島根大院理工、3.慶大理工、4.名大院工)

キーワード：ウェット酸化、第一原理計算、4H-SiC/SiO2界面