[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-6] 溶液成長SiC基板上に作製した酸化膜の評価

〇古庄 智明¹、川畑 直之¹、古橋 壮之¹、渡辺 友勝¹、渡邊 寛¹、山川 聡¹、村山 健太²、原田 俊太²、宇治原 徹² (1.三菱電機　先端総研、2.名大　未来研)

キーワード：炭化硅素、溶液成長、酸化膜

溶液成長法では超低転位密度のSiC基板が得られている。成長速度増加のため、Cr等を添加するが、この金属は結晶中に取り込まれる。このため、デバイス作製プロセス時における汚染源となることが懸念されていた。今回、溶液成長SiC基板上に保護膜を形成した後、MOSキャパシタを形成し、酸化膜特性を評価した。この結果、昇華法基板上に形成したMOSキャパシタと同等の酸化膜特性を有しており、金属汚染が防止できていることを確認した。