[5p-PB8-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

[5p-PB8-8] Influence of Device Structure on Charge Induced in SiC-MOSFETs by Heavy Ion Irradiation

〇(M2)Shuhei Takano^1,2, Takahiro Makino², Shinsuke Harada³, Yasuto Hijikata¹, Takeshi Ohshima² (1.Saitama Univ., 2.QST, 3.AIST)

Keywords:Silicon carbide, Single event effects, Power device reliability

ゲート構造の異なるSiC-MOSFETに重イオンを照射し、デバイス内に誘起される電荷のデバイス構造依存性を調べることで、デバイス内でのイオン誘起電荷輸送メカニズムの解明を試みた。プレーナーゲート型では理論値を大きく超える電荷収集量を示したが、トレンチゲート型では理論値付近の値を示した。理論値を超えた電荷収集では、電荷の輸送過程で、何かしらの増幅が起こったものと考えられる。講演ではこれらの差異について考察を加える。