[5p-PB8-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[5p-PB8-9] 高速動作パワー素子における表皮効果の二次元拡散方程式に基づくモデル化

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、佐藤 佳宏¹、佐藤 弘¹、山口 浩¹ (1.産総研)

キーワード：SiCパワーモジュール、配線インダクタンス、モデリング

SiCパワーモジュールで問題となる配線の寄生インダクタンスについて、拡散方程式を用いた表皮効果の経時変化モデルを提案する。