2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

7 ビーム応用 » 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

[5p-S42-1~15] 7.3 微細パターン・微細構造形成技術

2017年9月5日(火) 13:15 〜 17:45 S42 (第2会議室)

山口 徹(NTT)、山本 治朗(日立)、谷口 淳(東理大)

14:30 〜 14:45

[5p-S42-5] フォトダイオード直接塗布法によるEUVレジストの高精度な吸収係数測定法

〇(M1)新原 章汰1、豆﨑 大輝1、渡辺 雅紀1、原田 哲男1、渡邊 健夫1 (1.兵庫県立大学)

キーワード:EUVレジスト、吸収係数、透過率測定

レジスト性能向上の必須項目の一つとして感度の向上が挙げられる。近年、レジストに金属を含有することでEUV光に対する吸収を増加させ、感度を向上させる手法が注目を浴びている。レジスト開発には吸収係数を実際に測定することが重要である。我々はNewSUBARU放射光施設において、フォトダイオードを用いたレジストの吸収係数測定法を開発している。複数膜厚のサンプルの計測を通して吸収係数測定法の高度化を行った。