[6a-A201-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[6a-A201-12] 電気・熱・応力連成回路解析によるSiC パワーデバイス電気特性の応力依存性評価法の構築

〇加藤 光章¹、牛流 章弘¹、加納 明¹、高尾 和人¹、廣畑 賢治¹、泉 聡志² (1.東芝、2.東大工)

キーワード：パワーデバイス、ピエゾ抵抗効果、連成解析

SiCパワーデバイス（n型MOSFET）の応力とオン抵抗の関係を四点曲げ試験と構造解析により分析し，オン抵抗はデバイス表面引張応力約1GPaで約7%増加，圧縮応力約0.3GPaで約1%減少することを確認した．応力依存性を組み込んだMOSFETモデルを電気・熱・応力回路連成解析により，パワーモジュールに対する応力の影響を評価し，デバイスに引張応力が印加される際に損失が増加することを確認した．