[6a-A202-1~10] 6.3 酸化物エレクトロニクス

△ [6a-A202-2] EuTiO­₃の量子井戸構造による高移動度化と磁気輸送特性

〇丸橋 一輝¹、高橋 圭^2,3、十倉 好紀^1,2、川﨑 雅司^1,2 (1.東大院工、2.理研CEMS、3.JSTさきがけ)

キーワード：磁性半導体、異常ホール効果

有機金属ガス源分子線エピタキシー法によって、SrTiO₃ (001) 基板上に磁性半導体EuTiO₃の量子井戸構造を作製した。これまでに報告したLSAT (001) 基板上の圧縮歪みLaドープEuTiO₃薄膜と比べて移動度は1桁近く上昇し2,000 cm²/Vsに達した。その結果、EuTiO­₃において初めてシュブニコフドハース振動を観測することに成功した。さらに、移動度が低い試料では観察されなかった磁気抵抗や異常ホール効果の微細構造を観測した。