[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6a-A203-1] アモルファス酸化物半導体の価電子帯直上欠陥の分離

〇井手 啓介¹、岸田 陽介¹、片瀬 貴義¹、平松 秀典^1,2、上田 茂典³、雲見 日出也²、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大フロ研、2.東工大元素セ、3.物質・材料研究機構)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、欠陥、光電子分光

アモルファス酸化物半導体,a-In-Ga-Zn-O(a-IGZO)はワイドギャップ半導体であるにもかかわらず、可視光応答を示す。この応答は深い欠陥準位に起因することが知られているが、その起源についてこれまで第一原理計算を主に議論がなされてきた。本研究では、2016年秋の報告に続き、水素化／酸化などの成膜後処理を行ったa-IGZOについて、バルク敏感な硬X線光電子分光測定を行い、差分スペクトルにより実験的に起源の特定を行った。