[6a-A203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [6a-A203-3] Effect of Ga Content on the Band Structure of a Solution-processed IGZO Thin Film

〇(M2)Yusuke Ochiai¹, Takaaki Morimoto¹, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.GSASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:semiconductor, oxide, transistor

溶液法により300℃で作製されたIGZO薄膜では、Ga比率の増加につれてエネルギーギャップ(E_G)が増加するとともに、伝導帯下端の準位(E_C)と酸素空孔によるドナー準位(E_D)のエネルギー差が増加する。この結果は、Ga比率増大につれて、IGZO薄膜のE_Gが、In₂O₃やZnOよりもE_Gの高いGa₂O₃の値に近づくことと、ドナーから伝導帯へ励起される電子が減少することを示唆している。