[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6a-A203-3] 溶液法IGZO薄膜におけるGa比率がバンド構造に与える影響

〇(M2)落合 祐輔¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：半導体、酸化物、トランジスタ

溶液法により300℃で作製されたIGZO薄膜では、Ga比率の増加につれてエネルギーギャップ(E_G)が増加するとともに、伝導帯下端の準位(E_C)と酸素空孔によるドナー準位(E_D)のエネルギー差が増加する。この結果は、Ga比率増大につれて、IGZO薄膜のE_Gが、In₂O₃やZnOよりもE_Gの高いGa₂O₃の値に近づくことと、ドナーから伝導帯へ励起される電子が減少することを示唆している。