[6a-A203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[6a-A203-5] Dependence of photoinduced top-gate effect in a-InGaZnO TFTs on photon flux

〇Kazushige Takechi¹, Hiroshi Tanabe¹ (1.NLT Technologies)

Keywords:oxide semiconductor, thin-film transistor, photoinduced top-gate effect

a-InGaZnO TFT光誘起トップゲート効果の照射フォトン密度依存性について調べた。ITOトップゲート電極を有するボトムゲート型a-InGaZnO TFTの上部から可視光を照射し、負Vtgを印加した状態でのボトムゲート特性(Vbg-Id)を様々な光強度下で測定した。その結果、光誘起トップゲート効果はフォトン密度のベキ乗に比例することが分かった。このような光誘起トップゲート効果の照射フォトン密度依存性は、光センサとしてのデバイス応用のみならずデバイス物理の視点でも興味深い。