[6a-A203-1~10] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [6a-A203-4] Effects of UV Irradiation and Annealing on Light Absorption of IGZO Thin Films

〇(M1)Yuki Takamori¹, Takaaki Morimoto¹, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:IGZO, Ultraviolet Photon, Solution Process

大気中300℃以下で焼成した溶液法IGZO薄膜では，室温の大気中で7.2eVの紫外光を照射すると，ギャップエネルギーである約3eV以上で吸光度の減少が起こる。一方，350℃以上で焼成した薄膜に紫外光を照射しても吸光度はほとんど減少しない。低温で焼成した薄膜には水酸化物や有機化合物が多量に含まれており，これが紫外光によって価数変化や構造変化を起こし，吸光度を低くしていると考えられる。