[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6a-A203-5] a-InGaZnO TFT光誘起トップゲート効果の照射フォトン密度依存性

〇竹知 和重¹、田邉 浩¹ (1.NLTテクノロジー)

キーワード：酸化物半導体、薄膜トランジスタ、光誘起トップゲート効果

a-InGaZnO TFT光誘起トップゲート効果の照射フォトン密度依存性について調べた。ITOトップゲート電極を有するボトムゲート型a-InGaZnO TFTの上部から可視光を照射し、負Vtgを印加した状態でのボトムゲート特性(Vbg-Id)を様々な光強度下で測定した。その結果、光誘起トップゲート効果はフォトン密度のベキ乗に比例することが分かった。このような光誘起トップゲート効果の照射フォトン密度依存性は、光センサとしてのデバイス応用のみならずデバイス物理の視点でも興味深い。