2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

21 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」 » 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションK 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

2017年9月6日(水) 09:00 〜 11:45 A203 (203)

古田 守(高知工科大)

10:30 〜 10:45

[6a-A203-6] スピネル型ZnGa2O4を用いた高耐久性薄膜トランジスタの開発

中積 誠1、西 康孝1、岩堀 恒一郎1 (1.ニコン)

キーワード:酸化物半導体、スピネル、薄膜トランジスタ