[6a-A203-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [6a-A203-8] 酸化物薄膜トランジスタにおける発光現象の観測

〇(D)木瀬 香保利¹、藤井 茉実¹、Bermundo Juan Paolo¹、石河 泰明¹、浦岡 行治¹ (1.奈良先端大)

キーワード：透明酸化物半導体、発光解析、薄膜トランジスタ

透明アモルファス酸化物半導体(TAOS)をチャネル層に使用した薄膜トランジスタ（TFT）の長期信頼性を確保するためには，劣化メカニズムの解明が必要不可欠である．TAOS TFTの劣化要因の一つとして，インパクトイオン化現象を示唆する結果が得られている．しかし，これまで明確にこの現象を捕らえた報告はない．本研究では，IGZO TFTからインパクトイオンに起因する発光現象を観測したので，報告する.