[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-3] ハイドライド気相成長法による広い開口部幅を有するマスクを用いたGaNの選択成長の成長条件依存性

〇池内 裕紀¹、石橋 直人¹、行實 孝太¹、江崎 建弥¹、野島 康平¹、藤本 怜¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学)

キーワード：GaN、ハイドライド気相成長