2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岡田 成仁(山口大)、村上 尚(農工大)

09:30 〜 09:45

[6a-A301-3] ハイドライド気相成長法による広い開口部幅を有するマスクを用いたGaNの選択成長の成長条件依存性

池内 裕紀1、石橋 直人1、行實 孝太1、江崎 建弥1、野島 康平1、藤本 怜1、井本 良1、岡田 成仁1、只友 一行1 (1.山口大学院・創成科学)

キーワード:GaN、ハイドライド気相成長