09:30 〜 09:45 [6a-A301-3] ハイドライド気相成長法による広い開口部幅を有するマスクを用いたGaNの選択成長の成長条件依存性 〇池内 裕紀1、石橋 直人1、行實 孝太1、江崎 建弥1、野島 康平1、藤本 怜1、井本 良1、岡田 成仁1、只友 一行1 (1.山口大学院・創成科学)