[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-5] 高品質化に向けた半極性面GaN結晶のNaフラックス法による厚膜成長

〇(M2)蔵本 流星¹、金 度勲¹、山田 拓海¹、村上 航介¹、今西 正幸¹、今出 完¹、吉村 政志¹、森 勇介¹ (1.阪大院工)

キーワード：Naフラックス法、GaN、半極性

Naフラックスポイントシード法を用いた半極性面GaN結晶の厚膜化による結晶性及び曲率半径の向上。