2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

2017年9月6日(水) 09:00 〜 12:00 A301 (メインホール)

岡田 成仁(山口大)、村上 尚(農工大)

10:00 〜 10:15

[6a-A301-5] 高品質化に向けた半極性面GaN結晶のNaフラックス法による厚膜成長

〇(M2)蔵本 流星1、金 度勲1、山田 拓海1、村上 航介1、今西 正幸1、今出 完1、吉村 政志1、森 勇介1 (1.阪大院工)

キーワード:Naフラックス法、GaN、半極性

Naフラックスポイントシード法を用いた半極性面GaN結晶の厚膜化による結晶性及び曲率半径の向上。