[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-9] 昇華法を用いたAlN単結晶成長における極性反転の起源

〇重藤 啓輔¹、堀渕 嘉代¹、中村 大輔¹ (1.豊田中研)

キーワード：窒化物半導体、極性反転、不純物偏析

昇華法を用いてAlNのバルク単結晶成長を行う場合、高品質化、口径拡大の観点でN面成長が望ましいとされている。しかし、成長結晶がAl面に極性反転する場合があり、その極性反転の起源を調べた。3次元アトムプローブトモグラフィーで、極性反転する層に酸素偏析(約3 atom%)が確認され、酸素混入が極性反転の原因であることがわかった。講演では、酸素元素の分布を元に、極性反転モデルについても提案する。