[6a-A301-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[6a-A301-10] 高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響

〇小西 敬太¹、山本 玲緒^1,2、富樫 理恵^1,3、永島 徹²、木下 亨²、Rafael Dalmau⁴、Raoul Schlesser⁴、村上 尚^1,3、Ramón Collazo⁵、Bo Monemar^3,6、Zlatko Sitar⁵、熊谷 義直^1,3 (1.東京農工大院工、2.株式会社トクヤマ、3.東京農工大GIR、4.HexaTech, Inc.、5.ノースカロライナ州立大、6.リンチョーピン大)

キーワード：ハライド気相成長、窒化アルミニウム、ドーピング

我々は、導電性AlN基板の作製を目的として、SiドープAlNの高温ハイドライド気相成長を検討したところ、用いた基板の違いに起因する系内酸素量の差によって、Si取込量が大きく異なることを見出したので報告する。