[6a-A412-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[6a-A412-4] 電子線照射によるダイヤモンドナノ粒子中のNVセンター形成条件の最適化（1）

〇阿部 浩之¹、小野田 忍¹、武山 昭憲¹、大島 武¹ (1.量研　高崎)

キーワード：ダイヤモンドナノ粒子、電子線照射、単一光子源

ダイヤモンドナノ粒子中のNV（窒素ー空孔）センターは、単一光子源（SPS)と呼ばれ、NVセンターがもつ電子スピンはSPSの発光特性と相関があり、スピンの温度変化や電場・磁場変化など、環境影響に対して好感度であるため、発光強度の変化を利用した高感度センサーとしての応用が期待されている。本研究ではナノ粒子に対して電子線照射し、その後の熱処理にてNVセンター中のSPS発光特性を得るため、NVセンター形成条件の最適化を図り、その量子状態（発光・スピン）を室温で計測・制御する技術を確立することを目的とし、本研究では、各プロセスにおける諸条件の最適化を探索した。