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[6a-A414-1] レーザ散乱光偏光検出によるSi基板表面上サブ波長欠陥の判別
キーワード:散乱、偏光、欠陥判別
レーザ散乱方式の半導体ウェハ表面欠陥検査における欠陥種判別の精度向上を目的として、欠陥散乱光の偏光検出を用いた判別手法を検討した。同一形状で材質が異なるSi基板表面突起と異物とを対象として、散乱光分布をDDA (Discrete Dipole Approximation)法により計算し、線形判別分析による欠陥判別の性能を評価した。結果、側方散乱方向の偏光状態に欠陥種による違いが現れ、同方向のP、S偏光検出強度を用いることで、判別精度が向上することを確認した。