[6a-A503-1~13] 15.7 Crystal evaluation, impurities and crystal defects

△ [6a-A503-13] Dislocation multiplication during growth process and cooling process of crystalline silicon for solar cell

〇Tomoro Ide¹, Satoshi Nakano², Hirofumi Harada², Yoshiji Miyamura², Koichi Kakimoto^1,2 (1.Kyushu Univ., 2.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:dislocation, Silicon

太陽電池用Siインゴットの製造過程において結晶中に発生する転位は変換効率低下の原因の一つである。また、転位は結晶凝固後の冷却過程において急激に増加することが報告されていたため、本研究室では、これまで冷却過程に着目し転位密度解析を行ってきた。本発表では、Si結晶の成長過程から結晶凝固後の冷却過程までの転位密度の3次元数値解析を行い、成長過程と冷却過程のそれぞれの転位増殖を比較・考察した。