[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

△ [6a-A503-6] 分子クラスターイオン注入エピウェーハの製品特性（５）-新規多元素・分子クラスターイオン注入技術開発-

〇廣瀬 諒¹、奥山 亮輔¹、門野 武¹、柾田 亜由美¹、重松 理史¹、古賀 祥泰¹、奥田 秀彦¹、栗田 一成¹、宮本 直樹² (1.株式会社SUMCO、2.日新イオン機器株式会社)

キーワード：炭素クラスターイオン注入技術、ゲッタリング技術、分子イオン注入技術

我々は炭素クラスターイオン注入技術がエピタキシャルウェーハに強力なゲッタリング能力に代表されるイメージセンサ製造プロセスに有用な様々な特性を付与できることを報告してきた。この炭素クラスターイオン注入技術を超えるゲッタリング能力付与技術を開発するため、新規分子イオン注入技術を開発したので報告する。この分子イオン注入技術は炭素と水素、リンの三元素からなる分子イオンを注入できることを特徴とする。今後この技術がイメージセンサの高感度化に寄与することが期待される。