[6a-A503-1~13] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[6a-A503-7] シリコン結晶成長の点欠陥の発生と消滅に関する一考察(1)：引き上げ速度と温度勾配の関係

〇阿部 孝夫¹、高橋 徹¹、白井 光雲² (1.信越半導体　磯部研、2.阪大　産研)

キーワード：点欠陥