[6a-A504-1~9] 12.2 Characterization and Materials Physics

[6a-A504-4] Correlation between carrier mobility at electric double layer FETs using ionic liquids as gate insulator and their interfacial structures

〇(M2)Kota Sakamoto¹, Sakurako Ono¹, Daijiro Okaue¹, Hiroaki Nato¹, Taiki Sato¹, Akihito Imanishi¹, Ichiro Tanabe¹, Junichi Takeya², Ken-ichi Fukui¹ (1.Osaka Univ., 2.Univ. Tokyo)

Keywords:interface, organic semiconductor, ionic liquid

高いホール移動度を有するルブレン単結晶の電気二重層FETにイオン液体EMIM-FSIを用いると、急速にホール移動度が減少すること、さらに比較的大きな正のゲート電圧を印加することで移動度が一時的に回復することを前回報告した。電気化学FM-AFMを用いた観察により、電圧印加前後でルブレン表面の形状は大きく変化していないが、イオン液体の構造力に有意な変化が見られ、この起源について議論する。