[6a-C13-1~12] 3.15 シリコンフォトニクス

[6a-C13-11] SiD₄ガスを用いて作製したSiN波長フィルタ特性

〇相原 卓磨¹、開 達郎¹、西 英隆¹、土澤 泰¹、松尾 慎治¹ (1.NTT先端集積デバイス研)

キーワード：シリコンフォトニクス、重水素シラン、SiN導波路

本研究では、水素フリーの重水素シラン（SiD₄）ガスを用いて、SiNのラティスフィルタを作製し、その特性を評価した。FSR=41 nmの透過ピークを持つフィルタ特性が得られた。このFSRは、計算により得られるFSRと一致した。隣接ピークとの消光比は10 dB、3 dB帯域幅は6 nmであった。また、1500から1600 nmの広い波長帯において、過剰損失の波長依存性が小さい透過スペクトルを得た。これは、SiD₄ガスを用いてSiN膜を成膜したことにより、1510 nm付近のN-H基吸収が抑えられたためと言える。