[6a-C13-1~12] 3.15 Silicon photonics

[6a-C13-11] Characteristics of SiN wavelength filter fabricated by SiD₄ gas

〇Takuma Aihara¹, Tatsurou Hiraki¹, Hidetaka Nishi¹, Tai Tsuchizawa¹, Shinji Matsuo¹ (1.NTT Device Technology Labs.)

Keywords:Silicon photonics, Deuterium silane, SiN waveguide

本研究では、水素フリーの重水素シラン（SiD₄）ガスを用いて、SiNのラティスフィルタを作製し、その特性を評価した。FSR=41 nmの透過ピークを持つフィルタ特性が得られた。このFSRは、計算により得られるFSRと一致した。隣接ピークとの消光比は10 dB、3 dB帯域幅は6 nmであった。また、1500から1600 nmの広い波長帯において、過剰損失の波長依存性が小さい透過スペクトルを得た。これは、SiD₄ガスを用いてSiN膜を成膜したことにより、1510 nm付近のN-H基吸収が抑えられたためと言える。