[6a-C14-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[6a-C14-1] 異段差一括ICP（誘導結合プラズマ）ドライエッチング条件の検討

〇森田 優斗¹、姜 海松¹、浜本 貴一¹ (1.九大総理工)

キーワード：PIN構造、RIE-lag効果、トレンチ構造

異段差一括ドライエッチングによりトレンチPIN導波路を実現するためにICPドライエッチングによるRIE-lag現象を調査した。ICPバイアスパワー（イオン加速パワー）100Wで開口幅 5μm と 0.8μm を比較した結果、10%以上のエッチングレートの低下が確認された。