[6a-C14-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[6a-C14-2] イオン注入を用いた多重量子ドット混晶化における打ち込みイオン価数の影響

〇松井 信衞¹、赤石 陽太¹、伊澤 昌平¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一³、石川 浩¹、宇髙 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構、3.早大GCS機構)

キーワード：量子ドット、組成混合、イオン注入

多重積層量子ドット構造(QD)の受動導波路化技術としてイオン注入を用いた組成混合(QDI)が検討されており、我々は最大190 nmのフォトルミネッセンス波長のシフトを確認した。柔軟かつ、より大きなシフト量の実現はQDIの諸応用のため重要課題である。今回、打ち込みイオン価数がQDIに及ぼす影響を検討したので報告する。