2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月6日(水) 09:00 〜 11:30 C17 (研修室2)

中村 成志(首都大)

09:00 〜 09:30

[6a-C17-1] [優秀論文賞受賞記念講演] 1.8mΩ・cm2 vertical GaN-based trench metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
on a free-standing GaN substrate for 1.2-kV-class operation

岡 徹1、伊奈 務1、上野 幸久1、西井 潤弥1 (1.豊田合成)

キーワード:優秀論文賞受賞記念講演