[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-1] [優秀論文賞受賞記念講演] 1.8mΩ・cm² vertical GaN-based trench metal–oxide–semiconductor field-effect transistors
on a free-standing GaN substrate for 1.2-kV-class operation

〇岡 徹¹、伊奈 務¹、上野 幸久¹、西井 潤弥¹ (1.豊田合成)

キーワード：優秀論文賞受賞記念講演