The 78th JSAP Autumn Meeting, 2017

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6a-C17-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

Wed. Sep 6, 2017 9:00 AM - 11:30 AM C17 (Training Room 2)

Seiji Nakamura(TMU)

9:45 AM - 10:00 AM

[6a-C17-3] Low contact resistance of Si-implanted GaN using Ti / Al electrode and analysis of electrode structure after annealing

Tomoaki Nishimura1, Takeshi Kasai2, Tomoyoshi Mishima1, Kazuo Kuriyama1, Tohru Nakamura1 (1.Hosei Univ., 2.Chemitronics)

Keywords:GaN, ion implantation, RBS

注入量5×1013から5×1014 cm-2の150 keV Siをサファイア上に成長したGaNエピタキシャル層に注入し、1200 ℃のN2雰囲気中で 2分の活性化アニールを行った。その後Ti/Al電極を蒸着し、各種アニール温度での接触抵抗を評価した。また未注入のGaNに対してTi/Al比の異なる電極を成膜し、N2中で550~900 ℃のアニールを行い、それら試料をRBS/C法、光学顕微鏡、高分解能走査型透過電子顕微鏡(HR-STEM)、EDX、EELSで分析し、膜組成の変化や界面の微細構造を調べた。