2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2017年9月6日(水) 09:00 〜 11:30 C17 (研修室2)

中村 成志(首都大)

09:45 〜 10:00

[6a-C17-3] Ti/Al電極を用いたSi注入GaNの低コンタクト抵抗化とアニール後の電極構造分析

西村 智朗1、葛西 武2、三島 友義1、栗山 一男1、中村 徹1 (1.法政大、2.ケミトロニクス)

キーワード:GaN、イオン注入、RBS

注入量5×1013から5×1014 cm-2の150 keV Siをサファイア上に成長したGaNエピタキシャル層に注入し、1200 ℃のN2雰囲気中で 2分の活性化アニールを行った。その後Ti/Al電極を蒸着し、各種アニール温度での接触抵抗を評価した。また未注入のGaNに対してTi/Al比の異なる電極を成膜し、N2中で550~900 ℃のアニールを行い、それら試料をRBS/C法、光学顕微鏡、高分解能走査型透過電子顕微鏡(HR-STEM)、EDX、EELSで分析し、膜組成の変化や界面の微細構造を調べた。