[6a-C17-1~8] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

[6a-C17-3] Low contact resistance of Si-implanted GaN using Ti / Al electrode and analysis of electrode structure after annealing

〇Tomoaki Nishimura¹, Takeshi Kasai², Tomoyoshi Mishima¹, Kazuo Kuriyama¹, Tohru Nakamura¹ (1.Hosei Univ., 2.Chemitronics)

Keywords:GaN, ion implantation, RBS

注入量5×10¹³から5×10¹⁴ cm^-2の150 keV Siをサファイア上に成長したGaNエピタキシャル層に注入し、1200 ℃のN₂雰囲気中で 2分の活性化アニールを行った。その後Ti/Al電極を蒸着し、各種アニール温度での接触抵抗を評価した。また未注入のGaNに対してTi/Al比の異なる電極を成膜し、N₂中で550~900 ℃のアニールを行い、それら試料をRBS/C法、光学顕微鏡、高分解能走査型透過電子顕微鏡（HR-STEM）、EDX、EELSで分析し、膜組成の変化や界面の微細構造を調べた。