[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-5] TEM観察によるMgイオン注入GaN結晶の結晶性評価

〇高橋 和照¹、新宮 一恵¹、Sharma Udit²、中村 徹³、池田 清治³、西村 智朗³、三島 友義³ (1.ナノサイエンス㈱、2.EAG, Inc.、3.法政大)

キーワード：窒化ガリウム、イオン注入、透過電子顕微鏡

GaN基板中に注入条件を変え、Mgイオン注入された試料(に関して、アニール前後における結晶性の変化をTEMを用いて調べた。高濃度注入試料においては、一部Mgの偏析が確認された。