[6a-C17-1~8] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[6a-C17-7] 位相シフト電子線ホログラフィーを用いたGaN半導体内部のドーパント濃度分布の高感度観察

〇仲野 靖孝¹、松本 実子¹、穴田 智史¹、山本 和生¹、安藤 悠人²、小倉 昌也²、Si-Young Bae²、田中 敦之²、本田 善央²、石川 由加里¹、天野 浩²、平山 司¹ (1.JFCC、2.名古屋大)

キーワード：電子線ホログラフィー、窒化物半導体