[6a-C21-1~12] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・配線・MEMS・集積化技術

[6a-C21-10] 電磁型シリコンMEMSレゾネータにおける振動特性の薄膜応力依存性

〇渡部 善幸¹、矢作 徹¹、阿部 泰¹、村山 裕紀¹ (1.山形工技セ)

キーワード：MEMS、レゾネータ、電磁型

物理、化学的な多変数を、共通のプラットフォームで同時に検出可能なシリコンMEMS共振型マルチモーダルセンサを目指し、電磁駆動・誘導検出型レゾネータを作製し、振動特性と薄膜応力依存性について評価した。レゾネータ作製後の捩り共振周波数は87.050Hzであったが、残留応力を有するクロム薄膜を除去したところ2.375kHz低下し、共振周波数は84.675Hzであった。薄膜の質量減少効果よりも残留応力減少効果が支配的に作用することがわかった。