[6a-C22-1~11] 22.1 合同セッションM 「フォノンエンジニアリング」

△ [6a-C22-3] 分子動力学法を用いたGeSiSn三元混晶内のフォノン物性予測と評価

〇(PC)富田 基裕^1,2、小笠原 成崇¹、渡邉 孝信¹ (1.早大理工、2.学振特別研究員PD)

キーワード：分子動力学法、IV-IV族混晶、GeSiSn

本研究ではMD法を用いてGeSiSn混晶のフォノン振動の再現、予測を行った。また、MD法ではSnを含む原子間ポテンシャルが報告されていないことから、原子間ポテンシャルを新たに構築し、世界で始めてMD法によるGeSiSn混晶の計算を可能とした。MD計算の結果、得られたフォノン物性は過去の実験値をおおむね再現していた。本研究のポテンシャルを用いることでGeSiSn混晶のMD熱解析に応用が可能となる。