2017年第78回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

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[6a-PA8-1~4] 7.5 イオンビーム一般

2017年9月6日(水) 09:30 〜 11:30 PA8 (国際センター1F)

09:30 〜 11:30

[6a-PA8-1] 重水素運転時のH-イオン源プラズマグリッド上のCs層厚

和田 元1、剣持 貴弘2、笹尾 真実子3、津守 克嘉4 (1.同志社大院理工、2.同志社大生命、3.同志社大研開、4.核融合研)

キーワード:負イオン源、重水素、プラズマグリッド

表面-固体内衝突カスケードモデルACATを用いて,Rasserらによる負イオン化モデルによる計算を行ったところ,負イオン源プラズマグリッドで生成される水素負イオンは,表面反射成分にはそれほど大きな差は生じないが,イオン衝撃脱離により生成される負イオン量は重水素に対して少なくなることが分かった.また,プラズマ電極表面のCsがスパッタリングにより失われる量は,重水素運転時において大きくなることも分かった.