[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-1] エピタキシャルGe上の直接ALDによるAl₂O₃層の形成と評価

〇(M1)繁澤 えり子¹、佐野 良介¹、池上 和彦¹、澤野 憲太郎¹、野平 博司¹ (1.都市大)

キーワード：Ge、ALD