[6a-PA9-1~11] 13.3 Insulator technology

[6a-PA9-11] Fluctuation of self-diffusion coefficient on high-temperature SiO₂ and SiO₂ + SiO

〇Yuji Yajima¹, Kenji Shiraishi^2,3, Tetsuo Endoh^2,4, Hiroyuki Kageshima^1,2 (1.Shimane Univ., 2.JST-ACCEL, 3.Nagoya Univ., 4.Tohoku Univ.)

Keywords:SiO2, Theoretical calculation

平面型集積回路デバイスの極微細化に伴う問題を解決するため、縦型BC-MOSFETは大変有望なデバイスである。しかし三次元型である縦型BC-MOSFETの作成においては、​三次元でのSi熱酸化過程は応力や粘性が強く影響し、二次元での酸化過程とは異なっているため制御が難しい。SiO₂の動特性について第一原理分子動力学法によって探求を進めていく上で判明した、特性値の揺らぎについての検討を行った。