[6a-PA9-1~11] 13.3 絶縁膜技術

[6a-PA9-11] 高温SiO₂とSiO₂+SiOの自己拡散係数の揺らぎ

〇矢島 雄司¹、白石 賢二^2,3、遠藤 哲郎^2,4、影島 博之^1,2 (1.島根大、2.JST-ACCEL、3.名大、4.東北大)

キーワード：SiO2、理論計算

平面型集積回路デバイスの極微細化に伴う問題を解決するため、縦型BC-MOSFETは大変有望なデバイスである。しかし三次元型である縦型BC-MOSFETの作成においては、​三次元でのSi熱酸化過程は応力や粘性が強く影響し、二次元での酸化過程とは異なっているため制御が難しい。SiO₂の動特性について第一原理分子動力学法によって探求を進めていく上で判明した、特性値の揺らぎについての検討を行った。